2011年考研上海交大半导体物理与器件真题

04-06 15:50:02   浏览次数:486次  栏目：历年真题

标签：考研真题下载,考研真题免费下载,http://www.lexue88.com 2011年考研上海交大半导体物理与器件真题,

20xx年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来，难免有所疏漏，仅供参考。

一、

1.半导体能带形成原因

2.绝缘体 导体 半导体 能带图

3.算一个半导体的吸收限

二、算扩散电流

编辑推荐:

三、

1.基区宽度调变效应

2.根据基区宽度调变效应的计算

四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数

五、算mos管的跨导

六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化

七、算有效阈值电压与阈值电压的差值

，2011年考研上海交大半导体物理与器件真题

评论加载中......